根据集邦咨询TrendForce发布的最新研报，由于某些消费电子产品的需求减弱，内存价格从2021年第四季度开始不断下降。此外还受到其他多方面的因素：通胀上升、俄乌战争、疫情政策等影响，旺季需求疲软等等，因此这些销售压力从买方延伸至厂商。
针对上述情况，美光上周宣布将减产DRAM和NANDFlash，成为首家正式降低产能利用率计划的主要内存厂商。铠侠也紧随美光宣布，自10月起将NANDFlash产能利用率降低30%。
在NANDFlash方面，美光原本计划从22年4季度开始逐步提高232层产品的比例。不过随着公司减产决定的落实，预计2023年美光的主流制程仍以176层产品为主，而传统制程的晶圆开工率也会下降。
与NANDFlash相比，是否会出现大幅减产还有待观察。除了提到目前该领域产能利用率略有下降外，美光主要强调其对2023年资本支出的大幅下调，明年DRAM生产位元的年增长率仅为5%左右。
铠侠和WDC原计划从22年第4季度开始迁移到162层产品，但WDC在2023年放缓了资本支出。在资金难以获得且需求可见性不佳的情况下，162层产品的比例将大幅下降，公司原计划2023年替代主流112层产品将无法实现。
2023年内存市场供需情况来看，由于需求前景保守，DRAM和NANDFlash各季度均出现严重供过于求，明年上半年库存压力将继续加速。
